사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 텍사스 인스트루먼트 |
| 제품 분류 | 전압 참조 |
| 시리즈 | REF5020 |
| 포장 | 대체 포장 |
| 단위 무게 | 0.000670 온스 |
| 장착 방식 | SMD/SMT |
| 패키지 케이스 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm 너비) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TA) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 출력 타입 | 고정 |
| 공급자 제품 패키지 | 8-VSSOP |
| 용인성 | ±0.1% |
| 전압 입력 | 2.7V ~ 18V |
| 전류 공급 | 1.2mA |
| 전류 출력 | 10mA |
| 참조 타입 | 시리즈 |
| 출력 전압 | 2.048V |
| 전압 출력 최대 | - |
| 온도 계수 | 8ppm/°C |
| 소음-0#1Hz~10Hz | 6μVp-p |
| 소음 10Hz~10kHz | - |
| 전류 카토드 | - |
| 최대 작동 온도 | + 125C |
| 작동 온도 범위 | - 40C |
| 출력 전압 | 20.048V |
| 가동 공급 전류 | 800 uA |
| 패키지 케이스 | VSSOP-8 |
| 초기 정확성 | 00.05 % |
| 시리즈-VREF-입전압-최대 | 18V |
| 셔트 전류 최대 | 10mA |
양식, 패키지, 기능적 호환성 부품
| 제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
| ADR360BUJZ-R2 전력 회로 |
저전력, 저소음 전압 참조, 싱크/소스 용량, 2.048 VOUT | 아날로그 디바이스 | REF5020AIDGKT 대 ADR360BUJZ-R2 |
| REF5020AIDRG4 전력 회로 |
낮은 소음, 매우 낮은 유동, 정밀 시리즈 전압 참조 8-SOIC -40 ~ 125 | 텍사스 인스트루먼트 | REF5020AIDGKT 대 REF5020AIDRG4 |
| ADR360BUJZ-REEL7 전력 회로 |
저전력, 소음 저전압 참조 장치와 싱크/소스 용량 | 아날로그 디바이스 | REF5020AIDGKT 대 ADR360BUJZ-REEL7 |
| REF5020AID 전력 회로 |
낮은 소음, 매우 낮은 유동, 정밀 시리즈 전압 참조 8-SOIC -40 ~ 125 | 텍사스 인스트루먼트 | REF5020AIDGKT 대 REF5020AID |
| REF5020AIDG4 전력 회로 |
낮은 소음, 매우 낮은 유동, 정밀 시리즈 전압 참조 8-SOIC -40 ~ 125 | 텍사스 인스트루먼트 | REF5020AIDGKT 대 REF5020AIDG4 |
| REF5020AIDR 전력 회로 |
낮은 소음, 매우 낮은 유동, 정밀 시리즈 전압 참조 8-SOIC -40 ~ 125 | 텍사스 인스트루먼트 | REF5020AIDGKT 대 REF5020AIDR |
| REF5020AQDRQ1 전력 회로 |
자동차 저소음, 매우 낮은 유동, 정밀 2.048V 시리즈 전압 참조 8-SOIC -40 ~ 125 | 텍사스 인스트루먼트 | REF5020AIDGKT 대 REF5020AQDRQ1 |
| REF5020AIDGKR 전력 회로 |
낮은 소음, 매우 낮은 드리프트, 정밀 시리즈 전압 참조 8-VSSOP -40 ~ 125 | 텍사스 인스트루먼트 | REF5020AIDGKT 대 REF5020AIDGKR |
D출자
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