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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | Maxim Integrated |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | DS1312S-2 |
DS1312S-2 데이터 시트전지 감시기와 DS1312 불휘발성이 제어기는 CMOS RAM을 비휘발성 메모리로 변환시키는 애플리케이션 문제를 해결하는 시모스 회로입니다. 전원을 수입하는 것 아웃용 허용한도 상황을 위해 모니터링됩니다. 상황이 발견된다는 것을 그와 같을 때, 칩 가능은 기록 보호를 이루기 위해 억제되고 배터리가 RAM에 정전방지 전력을 공급하기 위해 켜집니다. 특별한 회로는 소비를 극단적으로 저 전압에 정확한 전압 탐지를 감당하는 저-누설 CMOS 공정을 사용합니다.
CMOS SRAM을 비휘발성 메모리로 변환시킵니다
무조건적으로 기입은 VCC가 허용한도의 밖에 있을 때 SRAM을 보호합니다
자동적으로 전지 백업으로의 스위치는 VCC 정전이 발생할 때 공급합니다
리튬 전지의 전압을 모니터링하고, 절박한 배터리 장애을 알리는 사전 경보를 제공합니다
부 논리 배터리 경고 출력 신호 위의 신호 로우 밧데리 조건
옵션널 5% 또는 10% 전원 장애 탐지
공간-절약 8 핀 하락과 SOIC 패키지
선택적 16 핀 SOIC과 20이지 핀 TSSOP 버전은 정전이 발생하고, 시스템 전력 증가 동안 리셋에서 프로세서를 가질 때 프로세서를 재설정했습니다
-40' Ｃ에서 +85' Ｃ의 산업용 온드범위
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 격언은 통합되었습니다 |
| 상품 카테고리 | 메모리 컨트롤러들 |
| 시리즈 | - |
| 패키징 | 튜브 교대 패키징 |
| 포장 케이스 | 8 SOIC (0.154 ", 3.90 밀리미터 폭) |
| 작동 온도 | -40' Ｃ ~ 85' Ｃ |
| 전압 공급 | 4.75 Ｖ ~ 5.5 Ｖ |
| 공급 툴 장치 패키지 | 8-soic |
| 제어장치 유형 | 비휘발성 램 |
형식, 패키지, 기능적 호환 성분
기술
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