GAL22V10이 4 나노 초 최대 전파 지연 시간에 CMOS가 시장에서 어떠한 22V10 장치의 이용 가능한 최고 성능을 제공하기 위해 전기적으로 지울 수 있는 것과 함께 (E2) 플로팅 게이트 기술을 처리한 고성능을 결합시킵니다. CMOS 회로는 GAL22V10이 양극 22V10 장치와 비교될 때 매우 적은 전력을 소비할 수 있게 허락합니다. E2 기술은 고속도를 제공합니다 (<100ms>
오우 고성능 E2CMOS®TECHNOLOGY
- 4 나노 초 최대 전파 지연
- Fmax = 250 마하즈
- 클락 입력부터 데이터 출력까지 3.5 나노 초 최대
- UltraMOS®Advanced CMOS 기술
오우 액티브 풀업 ON 모든 것 핀
오우 호환기 WITH 표준 22V10 디바이시스사
- 양극성과 UVCMOS 22V10 장치로 적합한 / 퓨즈맵 / 파라메트릭이 완전히 작용합니다
오우 50% 내지 75% 감소 IN 전원 대 양극성
- 저전력 소자 위의 90mA 전형적 Icc
- 분기 전력 소자 위의 45mA 전형적 Icc
oE2CELL 기술
- 재편성 로직
- 재프로그램 가능한 셀
- 100% Tested/100% 생산량
- 고속도 전기적 삭제 (<100ms>
- 20년 데이터 유지
오우 트렁크 장비 번호 출력 논리부 MACROCELLS
- 복잡한 논리 설계를 위한 최대의 유연성
오우 예하중 앤드 파워온 리세트 OF REGISTERS
- 100% 기능적 시험가능성
오우 APPLICATIONS는 다음을 포함합니다 :
- DMA 제어
- 주 기계 제어
- 고속도 그래픽 처리
- 표준논리 스피드 업그레이드
오우 전자 서명 FOR 식별
상술
특성 | 속성 값 |
---|---|
제조사 | 레티스 세미컨덕터 |
상품 카테고리 | 터치 스크린 제어부들 |
시리즈 | GALR22V10 |
패키징 | 튜브 |
포장 케이스 | 28-lcc (제이리드) |
작동 온도 | -40' C ~ 85' C (TA) |
설치형 | 표면 부착 |
공급 툴 장치 패키지 | 28-plcc (11.51x11.51) |
프로그램 가능한 형태 | EE PLD |
Delay-Time-tpd-1-Max | 20.0 나노 초 |
전압 공급 내부의 | 4.5 V ~ 5.5 V |
논리 원소 블록의 번호 | |
매크로셀의 수 | 10 매크로셀 |
게이트의 IC 수 | |
I 오우의 수 |
형식, 패키지, 기능적 호환 성분
기술
그를 우리가 입니까?
10년 이상 완전히 반도체의 분야에서 종사된 전문적 전자적 마케팅 기업과 전자 부품 판매와 고객들을 위한 서비스이고 새롭고 사용하지 않은 것, 전자 부품을 싸 밀봉된 원래 공장을 파는 것을 전문으로 합니다. IC, 다이오드, 트랜지스터, IGBT, 직류-직류 변환기를 전문으로 하시오 그러면 ***has는 우리 자신의 판매 서비스 개념을 구축했고, 이미 많은 유명한 제조들과의 강력한 협력관계를 확립했었고 우리가 항상 제멋대로, 당신의 선택을 위해 5,000,000 종류의 전자 부품 이상을 가지고 있습니다 !
FAQ
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한 : 일괄구매 배달 시간 : 30-60 일 ; 유치 우편 시간 : 20 일.
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한 : 저장고로서의 전신환 30%와 배달 전에 70%.
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한 : 무료 보증은 자격을 얻은 위임의 그 날부터 일년입니다.무료 보증 기간 이내에 자사 제품을 위한 어떠한 결점도 있다면 우리는 무료로 그것을 수리하고 결점 집회를 바꿀 것입니다
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