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MC100EL52DR2G 플립은 5V ECL 디프 자료와 시계 디-형을 부동소수점 연산합니다
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MC100EL52DR2G 플립은 5V ECL 디프 자료와 시계 디-형을 부동소수점 연산합니다

원래 장소 전화
브랜드 이름 onsemi
인증 ROHS
모델 번호 MC100EL52DR2G
제품 세부 정보
상품 이름:
MC100EL52DR2G
상태:
원형 100%
설치 메소드페:
25mA -40°C ~ 85°C(TA) 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 테이프 및 릴(TR) 대체 패키징 100EL 포지티브, 네거티브 D형
패키지:
8 SOIC (0.154 ", 3.90 밀리미터 폭)
전압 - 공급:
국제 기준
맥스. 역류:
국제 기준
애플리케이션:
플립-플롭
제품 설명

                                                                  MC100EL52DR2G 플립은 5V ECL 디프 자료와 시계 디-형을 부동소수점 연산합니다 0MC100EL52DR2G 데이터 시트
제품 상세정보

기술

MC10EL/100EL52는 리셋으로 차분 데이터, 차별적 시계 D 플립플롭입니다. 장치는 기능상으로 더 높은 성능과 E452 장치에 상당합니다. 의미 심장하게 빨리 E452 보다 전달 지연과 출력 주행 시간과 함께, EL52는 AC 성능에서 궁극적인 것 요구하는 그 적용에 이상적으로 적합합니다.

특징

오우 365 추신 전달 지연
오우 2.0 기가헤르츠 토글 주파수
오우 ESD 보호 :
* > 1 kV 휴먼 바디 모델
* > 100 V 기계모델
오우 PECL 방식 동작 범위 : V자형 = 0 V와 5.7 V에 대한 VCC = 4.2 V
오우 NECL 방식 동작 범위 : V자형 = -4.2 V에서 -5.7 V와 VCC = 0 V
D와 CLK 위의 오우 내부 입력 풀다운 레지스터
오우는 JEDEC Spec EIA/JESD78 IC 래치업 테스트를 만나거나 초과합니다
오우 습기 민감성 :
* SOIC-8 NB를 위한 레벨 1
* TSSOP-8을 위한 레벨 3
* 부가 정보를 위해 응용 노트 AND8003/D를 봅니다
오우 인화성 등급 : 0.125에 있는 UL 94 V-0에, 산소 : 지수 28 내지 34
오우 트랜지스터 Count = 48 장치
오우 이러한 장치가 Pb-프리, 무독성이고, 로에스 순응합니다

상술

                           
특성 속성 값
제조사 온새미
상품 카테고리 플립-플롭
시리즈 100EL
타입 디-형
패키징테이프 & 릴 (TR)는 패키징을 교체합니다
단일 가중치0.019048 온스
증가하는 방식 SMD / SMT
포장 케이스 8 SOIC (0.154 ", 3.90 밀리미터 폭)
입력 유형 차이
작동 온도-40' C ~ 85' C (TA)
설치형 표면 부착
출력형차이
기능 표준
전압 공급-4.2 V ~ -5.7 V
회로의 수 1 회로
주파수 클럭 2.8GHz
원소의 번호 1가지 요소
현 생산량 최고 최저치 -
최대 증식 지연 V 최대 CL-
정지한 경향 25mA
논리형D 타입 플립 플롭
원소 당 비트의 숫자 1
트리거 타입 긍정적이고 부정적입니다
입력 커패시턴스-
최대 작업 온도+ 85 C
작동 온도 범위- 40 C
극성 반전하는 / 비반전
공급 전압 최대+/- 5.7 V
공급 전압 분+/- 4.2 V
포장 케이스 SOIC-8
논리 집단100
전달 지연0.465 나노 초
입력 라인의 수 1 입력선
생산량 라인의 수 1 출력 라인

형식, 패키지, 기능적 호환 성분

기술

IC 디-형 POS TRG SNGL 8SOIC
급변 D-마스터-슬레이브 타입 포세지 / 네그엣지 1-요소 8-핀 SOIC 엔 수입 담보 화물 보관증
플립은 5V ECL 디프 자료와 시계 디-형을 부동소수점 연산합니다
 

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