EP4CE75F29I7N 데이터 시트
제품 상세정보
사이클론 IV 장치 군은 다음과 같은 기능을 제공합니다 :
■ 저비용, 저전력 FPGA 구성 :
■ 6K 내지 150K 논리소
임베디드 메모리의 6.3 Mb에 달하는 ■
집중 애플리케이션을 처리하는 DSP를 위한 360 18 × 18 곱셈 장치에 달하는 ■
1.5 W 전체 전력 이하을 위한 ■ 프로토콜 브리징 적용
■ 사이클론 IV GX 장치는 공급하는 최고 8까지 고속 송수신기를 제공합니다 :
3.125 그비피스에 달하는 ■ 자료 비율
■ 8B/10B 부호기 / 디코더
■ 8 비트 또는 10개 비트 물리 부호화 부계층 (PCS)에게 물리 매체 접속 장치 (PMA)는 조화시킵니다
■ 바이트 시리얼라이저 / 직병렬 변환기 (SERDES)
■ 워드 얼라이너
■ 레이트 매칭 FIFO
■ TX는 공통 공공 라디오 인터페이스 (CPRI)를 위한 슬리퍼를 물었습니다
전기적인 ■는 공전합니다
당신이 자료 비율 앤드프로토콜 접촉식을 바꿀 수 있게 허락하는 ■ 동적 채널 재구성
■ 정전기 균등화와 뛰어난 신호 무결성을 위한 프레엔파시스
채널 전력 소비 당 ■ 150 mW
■ 탄력적 시각재기 구조가 다수의 프로토콜을 한 개의 송수신기 블록에 지지합니다
■ 사이클론 IV GX 장치는 헌신적 단단한 PCI 익스프레스 (파이프)을 위해 IP에게 (PCIe) 일반정보 1을 제공합니다 :
■ ×1과 ×2과 ×4 레인 구성
■ 종말점과 루트 포트 구성
256 바이트 페이로드에 달하는 ■
■ 한 가상 채널
■ 2 KB 재시행 버퍼
■ 4 KB 수신기 (Rx) 버퍼
■ 사이클론 IV GX 장치는 다양한 프로토콜 지원을 합니다 :
■ 피코이에 (파이프) 일반정보 1 ×1, ×2과 ×4 (2.5 그비피스)
■ 기가비트 이더넷 (1.25 그비피스)
■ CPRI (최고 3.072까지 그비피스)
■ XAUI (3.125 그비피스)
■ 3중 비율 일련 디지털 인터페이스 (SDI) (최고 2.97까지 그비피스)
■ 일련 라피디오 (3.125 그비피스)
■ 기본 모드 (최고 3.125까지 그비피스)
1까지 ■ V (최고 3.0까지 그비피스)
■ 디스플레이포트 (2.7 그비피스)
■ 일련의 향상 기술 부착 (SATA) (최고 3.0까지 그비피스)
■ OBSAI (최고 3.072까지 그비피스)
사용자 532명 I/Os에 달하는 ■
840개 메가보우 송신기 (Tx), 875 MBP Rx에 달하는 ■ LVDS 인터페이스
■ DDR2 SDRAM을 위한 지원은 최고 200까지 마하즈를 조화시킵니다
■는 QDRII SRAM과 DDR SDRAM 최고 167까지 마하즈를 지원합니다
장치 당 8개의 위상 고정 루프 (PLLs)에 달하는 ■
상업적이고 산업적 온도 그레이드로 제공된 ■
상술
특성 | 속성 값 |
---|---|
제조사 | 인텔 / 알테라 |
상품 카테고리 | IC 칩 |
시리즈 | Cyclone® IV E |
제품 | 사이클론 IV E |
패키징 | 트레이 |
증가하는 방식 | SMD / SMT |
상표명 | 정맥내인 사이클론 |
포장 케이스 | 780-bga |
작동 온도 | -40' C ~ 100' C (TJ) |
설치형 | 표면 부착 |
전압 공급 | 1.15 V ~ 1.25 V |
공급 툴 장치 패키지 | 780-에프비지에이 (29x29) |
게이트의 IC 수 | - |
I 오우의 수 | 426 입출력 |
랩스 -클브스의 수 | 4713 |
논리 원소 휴대폰의 번호 | 75408 |
전체 램 비트 | 2810880개 비트 |
최대 작업 온도 | + 85 C |
작동 온도 범위 | - 40 C |
운영상 공급 전압 | 1.2 V에 대한 1 V |
최대 작동 주파수 | 200 마하즈 |
포장 케이스 | FBGA-780 |
입출력 | 426 입출력 |
논리 배열 블록 랩스의 수 | 4713 |
논리 원소의 번호 | 75408 논리소 |
전체 메모리 | 2745 kbit |
엠에프르 | 인텔 |
패키지 | 트레이 |
제품 상태 | 활동가 |
전체 램 비트 | 2810880 |
I 오우의 수 | 426 |
전압 공급 | 1.15V ~ 1.25V |
포장 케이스 | 780-bga |
베이스 상품 다수 | EP4CE75 |
제조사 Part# | 기술 | 제조사 | 비교 |
EP4CE75F29C6 | 필드 프로그래머블 게이트 어레이, 4713 클브스, 472.5MHz, 75408-셀, PBGA780, 29 X 29 밀리미터, 1 MM 피치, FBGA-780 | 인텔 코퍼레이션 | EP4CE75F29I7N 대 EP4CE75F29C6 |
프로그래머블 로직 | |||
EP4CE75F29C7N | 필드 프로그래머블 게이트 어레이, 75408 클브스, 472.5MHz, 75408-셀, PBGA780, 29 X 29 밀리미터, 1 MM 피치 무연성, FBGA-780 | 인텔 코퍼레이션 | EP4CE75F29I7N 대 EP4CE75F29C7N |
프로그래머블 로직 | |||
EP4CE75F29C6N | 필드 프로그래머블 게이트 어레이, 4713 클브스, 472.5MHz, 75408-셀, PBGA780, 29 X 29 밀리미터, 1 MM 피치 무연성, FBGA-780 | 인텔 코퍼레이션 | EP4CE75F29I7N 대 EP4CE75F29C6N |
프로그래머블 로직 | |||
EP4CE75F29I7 | 필드 프로그래머블 게이트 어레이, 4713 클브스, 472.5MHz, 75408-셀, PBGA780, 29 X 29 밀리미터, 1 MM 피치, FBGA-780 | 인텔 코퍼레이션 | EP4CE75F29I7N 대 EP4CE75F29I7 |
프로그래머블 로직 | |||
EP4CE75F29C8 | 필드 프로그래머블 게이트 어레이, 4713 클브스, 472.5MHz, 75408-셀, PBGA780, 29 X 29 밀리미터, 1 MM 피치, FBGA-780 | 인텔 코퍼레이션 | EP4CE75F29I7N 대 EP4CE75F29C8 |
프로그래머블 로직 | |||
EP4CE75F29C8N | 필드 프로그래머블 게이트 어레이, 4713 클브스, 472.5MHz, 75408-셀, PBGA780, 29 X 29 밀리미터, 1 MM 피치 무연성, FBGA-780 | 인텔 코퍼레이션 | EP4CE75F29I7N 대 EP4CE75F29C8N |
프로그래머블 로직 | |||
EP4CE75F29I7N | 필드 프로그래머블 게이트 어레이, 4713 클브스, 472.5MHz, 75408-셀, PBGA780, 29 X 29 밀리미터, 1 MM 피치 무연성, FBGA-780 | 인텔 코퍼레이션 | EP4CE75F29I7N 대 EP4CE75F29I7N |
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기술
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