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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | Infineon |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | IPW90R120C3 |
IPW90R120C3 데이터 시트
제품 상세정보
오우 낮은 최적의 값 론 Ｘ 큐그
평가된 오우 극단적 드프 / dt
오우 최고 지점 전기 성능
오우는 대상 애플리케이션을 위해JEDEC1)에 따라 자격을 주었습니다
오우 Pb-프리 납 도금 ; 순응한 로에스
계속 TO247에서, 오우 전세계에 최고 Ｒ DS
오우 극저 게이트전하
오우 쿼시 낭랑한 플라이백 / 앞으로 토폴로지
오우 PC 실버박스와 소비자 어플리케이션
오우 산업적 SMPS
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 인피네온 |
| 상품 카테고리 | FET - 단일 |
| 시리즈 | 쿨모스 C3 |
| 패키징 | 튜브 |
| 부분적 가칭 | IPW90R120C3FKSA1 IPW90R120C3XK SP000413750 |
| 단일 가중치 | 1.340411 온스 |
| 증가하는 방식 | 관통 홀 |
| 상표명 | 쿨모스 |
| 포장 케이스 | TO-247-3 |
| 기술 | Si |
| 채널 수 | 1개 채널 |
| 구성 | 단일 |
| 트랜지스터 유형 | 1 엔-채널 |
| Pd 전원 산재 | 417 Ｗ |
| 최대 작업 온도 | + 150 Ｃ |
| 작동 온도 범위 | - 55 Ｃ |
| 낙하 시간 | 24 나노 초 |
| 오름시간 | 20 나노 초 |
| 브그스 게이츠 원천 전압 | 20 Ｖ |
| ID (드레인전류) | 36 A |
| Vds 배수 원천 고장 전압 | 900 Ｖ |
| Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 120 모엠에스 |
| 트랜지스터 극성 | 엔-채널 |
| 전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 | 400 나노 초 |
| 턴 온 지연 시간 | 70 나노 초 |
| 채널 모드 | 향상 |
기술
MOSFET N-치 900V 36A TO247-3 쿨모스 C3
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