제품 상세정보
K4S560432D는 삼성의 고성능 CMOS 기술로 제조되는 4개 비트의 4 X 16,785,216 단어로 구성된 268,435,456개 비트 동시에 일어나는 고속 패킷 전송 다이내믹 램입니다. 동시성 설계는 시스템 클럭 입출력 거래의 사용과 정밀 주기 제어가 모든 클럭 주기에 가능하도록 허락합니다. 동작 주파수, 프로그램 가능한 버스트 길이와 프로그램 가능 지연의 범위는 똑같은 장치가 다양한 고대역폭, 고성능 기억 장치 시스템 애플리케이션을 위해 유용할 수 있게 허락합니다.
오우 제덱 스탠다드 3.3V 전원 공급기
다중 어드레스로 적합한 오우 LVTTL
오우 네 은행 업무
주소 키 계획과 사이클 오우 MRS
-. 카스 레이턴시 (2와 3)
-. 버스트 길이 (1, 2, 4, 8과 전면)
-. 버스트 구조 (순차적 & 인터리브)
오우 모든 입력이 시스템 클럭의 오름 가장자리에서 샘플이 됩니다.
오우 버스트 판독 단일 비트 기록 작업
감추기 위한 오우 DQM
오우 자동차 & 셀프 리프레시
오우 64 부인 갱신 기간 (8K 사이클)
상술
특성 | 속성 값 |
---|---|
제조사 | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
상품 카테고리 | 선형 전압 레귤레이터 |
시리즈 | 자동차, AEC-Q100 |
패키징 | 교대 패키징 |
단일 가중치 | 0.050897 온스 |
증가하는 방식 | SMD / SMT |
포장 케이스 | TO-263-4, D2Pak (3개 리드 + 탭), TO-263AA |
작동 온도 | -40' C ~ 125' C |
설치형 | 표면 부착 |
출력형 | 고정됩니다 |
공급 툴 장치 패키지 | DDPAK/TO-263-3 |
전압 입력 | 6 V ~ 26 V |
산출 번호 | 1개 출력 |
전류 출력 | 750mA |
전압 출력 | 5V |
규제 기관 토폴로지 | 고쳐진 긍정 |
전형적인 전압 드롭아웃 | - |
규제 기관의 수 | 1 규제 기관 |
전류 한계 분 | - |
최대 작업 온도 | + 125 C |
작동 온도 범위 | - 40 C |
출력 전압 | 5 V |
입력 전압 최대 | 26 V |
출력 전류 | 750 마 |
입력 전압 분 | + 6 V |
부하 변동율 | 50 mV |
포장 케이스 | TO-263-3 |
Ib 입력 선입견 경향 | 60 마 |
드룹아웃 전압 최대 | 500 마에 있는 500 mV |
선로 전압 변동률 | 50 mV |
기술
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