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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | Intel / Altera |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | AT28BV256-20JI |
제품 상세정보
AT28BV64는 저전압입니다, 저전력 전기적 소거 가능한 읽기 전용 메모리가 특히 배터리 가동 애플리케이션의 설계를 했습니다. 기억 중 그것의 64K는 8비트의 조직화된 8,192 말입니다. 아트멜의 진보적 불휘발성 CMOS 기술에 의해 제조되어 장치는 30 mW하로 전력 소모와 200 나노 초에 엑세스 시간을 제공합니다. 장치가 선택해제될 때 대기 전류는 50 uA 이하입니다.
오우 2.7V 내지 3.6V 공급
가득 찬 읽기와 기록 작업
오우 저출력 소실
8개 마 유효 전류
50 uA CMOS 대기 전류
오우 리드 억세스 타임 - 300 나노 초
오우 바이트 기입 - 3명의 부인
오우 직접적 마이크로 프로세서 제어
데이터 폴링
준비 / 바쁜 오픈 드레인 출력
오우 높은 신뢰도 CMOS 기술
내구성 : 100,000이지 사이클
데이터 유지 : 10년
오우 JEDEC 승인되 바이트-와이드 핀 배치
상업적인 오우와 산업용 온드범위
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 인텔 / 알테라 |
| 상품 카테고리 | 메모리 ics |
| 시리즈 | - |
| 패키징 | 튜브 |
| 포장 케이스 | 32-lcc (제이리드) |
| 작동 온도 | -40' Ｃ ~ 85' Ｃ (TC) |
| 인터페이스 | 대비 |
| 전압 공급 | 2.7 Ｖ ~ 3.6 Ｖ |
| 공급 툴 장치 패키지 | 32-PLCC |
| 기억장치 용량 | 256K (32K x 8) |
| 메모리식 | EEPROM |
| 속도 | 200 나노 초 |
| 포맷 메모리 | EEPROM - 병렬 |
기술
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