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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | Texas Instruments |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | TPD2E001DRLR |
TPD2E001은 과도 전압 억제 소자들 (TVS)를 기반으로 한 2채널 정전기 방전 (ESD) 보호 다이오드 어레이입니다. TPD2E001은 국제 기준 IEC 61000-4-2 수준 4에서 규정된 최대 수준에 있는 ESD 공격을 낭비하기 위해 평가됩니다.
DRS (3.00 밀리미터 Ｘ 3.00 밀리미터) 패키지는 또한 의학적 화상화 응용을 위한 비자성 버전에 이용할 수 있습니다.
TPD2E001DRLR로 적합한 p2p인 TPD2E2U06DRLR를 또한 보고, 강한 IEC ESD 보호, 더 낮은 클램핑 전압을 제공하고, 입력 커패시터에 대한 필요성을 제거합니다.
오우 IEC 61000-4-2 ESD 보호 (수준 4)
- ±8-kV 접촉 방출
- ±15-kV 에어-갭 방출
오우 IO 전기 용량 : 1.5 pF (Typ)
오우 저누설 전류 : 1 nA (최대)
오우 낮은 공급 경향 : 1 nA
5.5가지 Ｖ 공급 전압 범위에 대한 오우 0.9 Ｖ
오우 공간-절약 DRL과 건식과 QFN 패키지 옵션
오우는 3, 4, 이용 가능한 6-채널 옵션을 교체합니다 : TPD3E001, TPD4E001, TPD6E001
오우 USB 2.0
오우 이더넷
오우 화이어와이어
오우 LVDS
오우 ＳＶＧＡ 비디오 연결
오우 포도당 측정기
오우 의료 영상
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
| 상품 카테고리 | 전압 억제 다이오드 |
| 시리즈 | TPD2E001 |
| 타입 | 안내 (철도에 대한 철도) |
| 패키징 | 교대 패키징 |
| 단일 가중치 | 0.000099 온스 |
| 종결 방식 | SMD / SMT |
| 포장 케이스 | SOT-553 |
| 작동 온도 | -40' Ｃ ~ 85' Ｃ (TA) |
| 설치형 | 표면 부착 |
| 애플리케이션 | 이더넷 |
| 채널 수 | 2개 채널 |
| 공급 툴 장치 패키지 | 5-술고래 |
| 단방향 채널 | - |
| 양방향성 채널 | 2 |
| 전압 반대 교착 상태 typ | 5.5V (맥스) |
| 항복 전압 | 11V |
| 클램핑 전압 | - |
| Current-Peak-Pulse-10-1000μs | - |
| 출력 피크 펄스 | - |
| 전원 라인 보호 | 예 |
| 용량 주파수 | - |
| 최대 작업 온도 | + 150 Ｃ |
| 절연파괴 전압 | 11 Ｖ |
| 클램핑 전압 | 25 Ｖ |
| Cd 다이오드 전기 용량 | 1.5 pF |
| 작업 전압 | 5.5 Ｖ |
| 극성 | 단일 방향입니다 |
| 립 최대 펄스 경향 | 10 A |
| 베스드 전압 ESD 접촉 | 8 kV |
| 베스드 전압 ESD 공기 격차 | 15 kV |
| 제조사 Part# | 기술 | 제조사 | 비교 |
| TPD2E001IDRLRQ1 | 고속 자료를 위한 자동차 저커패시턴스 2-채널 +/-15kV ESD 보호 배열은 85에 5-SOT-5X3 -40을 조화시킵니다 | 텍사스 인스트루먼츠 사 | TPD2E001DRLR VSTPD2E001IDRLRQ1 |
| TPD4E001DRLR | 고속 자료를 위한 저커패시턴스 4-채널 +/-15-kV ESD 보호 배열은 85에 6-SOT-5X3 -40을 조화시킵니다 | 텍사스 인스트루먼츠 사 | TPD2E001DRLR VSTPD4E001DRLR |
| TPD3E001DRYR | 고속 데이터 인터페이스 6-아들 -40 내지 85를 위한 저커패시턴스 3-채널 +/-15KV ESD 보호 배열 | 텍사스 인스트루먼츠 사 | TPD2E001DRLR VSTPD3E001DRYR |
| TPD2E001DRLRG4 | 고속 자료를 위한 저커패시턴스 2-채널 +/-15kV ESD 보호 배열은 85에 5-SOT-5X3 -40을 조화시킵니다 | 텍사스 인스트루먼츠 사 | TPD2E001DRLR VSTPD2E001DRLRG4 |
| TPD2E001DRYR | 고속 데이터 인터페이스 6-아들 -40 내지 85를 위한 저커패시턴스 2-채널 +/-15kV ESD 보호 배열 | 텍사스 인스트루먼츠 사 | TPD2E001DRLR VSTPD2E001DRYR |
| TPD3E001DRSR | 고속 데이터 인터페이스 6-아들 -40 내지 85를 위한 저커패시턴스 3-채널 +/-15KV ESD 보호 배열 | 텍사스 인스트루먼츠 사 | TPD2E001DRLR VSTPD3E001DRSR |
| TPD2E001DRSR | 고속 데이터 인터페이스 6-아들 -40 내지 85를 위한 저커패시턴스 2-채널 +/-15KV ESD 보호 배열 | 텍사스 인스트루먼츠 사 | TPD2E001DRLR STPD2E001DRSR |
| TPD3E001DRLR | 고속 자료를 위한 저커패시턴스 3-채널 +/-15KV ESD 보호 배열은 85에 5-SOT-5X3 -40을 조화시킵니다 | 텍사스 인스트루먼츠 사 | TPD2E001DRLR VSTPD3E001DRLR |
| TPD4E001DRSR | 고속 데이터 인터페이스 6-아들 -40 내지 85를 위한 저커패시턴스 4-채널 +/-15-kV ESD 보호 배열 | 텍사스 인스트루먼츠 사 | TPD2E001DRLR VSTPD4E001DRSR |
| UPT10TR7E3 | 트랜스 전압 억제 다이오드, 150W, 10V V(RWM), 단일 방향이, 1이지 요소, 실리콘, DO-216AA, 순응한 ROHS, 플라스틱이, POWERMITE-2 | 마이크로세미 | TPD2E001DRLR VSUPT10TR7E3 |
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