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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | Cypress Semiconductor |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | S29GL032N11FFIS23 |
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | サイパス半導体 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | GL-N |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) 代替包装 |
| パッケージケース | 64LBGA |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 1.65V~3.6V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 強化されたBGA (13x11) |
| 記憶容量 | 32M (4M x 8, 2M x 16) |
| メモリタイプ | FLASH - NOR |
| スピード | 110ns |
| フォーマットメモリ | フラッシュ |
機能的に互換性のある部品
製品詳細
S29GL-Nファミリーデバイスは,110nm MirrorBit技術を使用して製造された3.0ボルト単電源フラッシュメモリである. S29GL064Nは,4つに分類された64Mbデバイスである.194304語か8語か388S29GL032Nは 32MBのデバイスで 2つに分かれています097152語か4語か194,304バイト.モデル番号に応じて,デバイスは16ビット幅のデータバスのみ,またはByte#入力を使用して8ビット幅のデータバスとしても機能できる16ビット幅のデータバスを持っています.デバイスはホストシステムまたは標準EPROMプログラマーでプログラムすることができます.
建築 の 利点
■ 単一電源の操作
■ 110nm ミラービット プロセス技術で製造
■ シリコンセクターの地域
命令順序でアクセスできる8語/16バイトのランダム電子シリアル番号を通じて,永久かつ安全な識別のために128語/256バイトのセクター
工場や顧客によってプログラムされ,ロックされます
■ 柔軟な部門構造
64Mb (統一セクターモデル):128 32 Kword (64 KB) セクター
64 Mb (ブートセクターモデル):127 32 Kword (64 KB) セクター + 8 4Kword (8KB) ブートセクター
32 Mb (統一セクターモデル): 64KWord (64 KB) の 64 つのセクター
32 Mb (ブートセクターモデル): 63 32Kword (64 KB) セクター + 8 4Kword (8 KB) ブートセクター
■ 汎用性/OTM制御の強化
すべての入力レベル (アドレス,制御,DQ入力レベル) と出力はVIO入力上の電圧によって決定されます.VIO範囲は1.65からVCCです.
■ JEDEC 規格との互換性
単一の電源フラッシュのピノートとソフトウェア互換性,および優れた意図せざる書き込み保護を提供します
■ 業界ごとに10万回の消去サイクル
■ 20 年間のデータ保存
■ 高性能
90 ns アクセス時間
8語/16バイトのページ読み込みバッファ
ページを読む時間 25 ns
16語/32バイトの書き込みバッファにより,複数の単語更新のプログラム時間が短縮されます
25 mA 典型的な初期読み込み電流,1 mA 典型的なページ読み込み電流
50 mA 典型的な消去電流/プログラム電流
スタンドバイモードの典型的な電流は1μA
■ パッケージオプション
48ピンのTSOP
56ピンのTSOP
64ボール 強化BGA
48ボール 細角 BGA
■ ソフトウェアの特徴
強化されたセクター保護:持続的なセクター保護とパスワードセクター保護を提供しています
プログラム停止と再開: プログラム操作が完了する前に他のセクターを読み取ります
削除 停止&再開:削除処理が完了する前に他のセクターを読み/プログラムする
データ#投票とタグリングビットが状態を表示します
CFI (Common Flash Interface) に準拠する:ホストシステムが複数のフラッシュデバイスを識別し,対応できるようにする
鍵を解除 バイパス プログラム コマンドは,複数単語のプログラミング時間を削減します
■ ハードウェアの特徴
◎WP#/ACC入力により,システム生産中により大きなスループットを得るため,プログラミング時間を加速します.統一セクターモデル上のセクター保護設定に関係なく,最初のセクターまたは最後のセクターを保護します.
ハードウェアリセット入力 (RESET#) リセットデバイス
準備/忙しい#出力 (RY/BY#) プログラムまたは消去サイクル完了を検出
記述
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6つ目,TSSOP
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