記述
具体的には自動車適用のために設計されていて、この力MOSFETはケイ素区域ごとの極端に低いonresistanceを達成するのに最も最近の加工の技巧を利用する。この設計の付加的な特徴は175°C接続点実用温度、速く切り替え速度および改善された反復的ななだれの評価である。これらの特徴はこの設計に自動車適用および他のいろいろ適用の使用のための非常に有効な、信頼できる装置をするために結合する。
●高度の加工技術
●超低いオン抵抗
●175°C実用温度
●速い切換え
●Tjmaxまで許可される反復的ななだれ
●無鉛、迎合的なRoHS
●修飾される自動車*
指定
属性 | 属性値 |
---|---|
製造業者 | Infineon |
製品カテゴリ | ゲートの運転者 |
シリーズ | 、AEC-Q100自動車 |
タイプ | 半橋 |
包装 | 管の互い違いの包装 |
パッケージ場合 | 表面の台紙 |
作動温度 | 125ns、50ns |
土台タイプ | -40°C | 150°C (TJ) |
製造者装置パッケージ | 28-SOIC (0.295"、7.50mmの幅) |
決断ビット | 6 |
データ インターフェイス | 3-Phase |
電圧供給アナログ | 非逆になること |
電圧供給デジタル | 600V |
数のADCsDACs | |
シグマ デルタ | 10ボルト| 20ボルト |
S N比率ADCs DACs dbTyp | 0.8V、2.5V |
動的範囲ADCs DACs dbTyp | 200mA、350mA |
形態、パッケージ、機能多用性がある部品
記述
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