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SN74LVC1T45DRLR翻訳-電圧レベルSNGLのビット二重供給バス トランシーバー
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SN74LVC1T45DRLR翻訳-電圧レベルSNGLのビット二重供給バス トランシーバー

起源の場所 呼出し
ブランド名 Texas Instruments
証明 ROHS
モデル番号 SN74LVC1T45DRLR
製品詳細
製品名:
SN74LVC1T45DRLR
条件:
原物100%
設置methodpe:
二方向420Mbps表面の台紙-40°C | 85°C (TA) Digi-ReelR互い違いの包装74LVC 6-SOTの電圧レベル
パッケージ:
SOT563
電圧-供給:
国際規格
最高。逆の流れ:
国際規格
適用:
電圧訳者、水平なベルト寄せ
製品の説明

                                                         SN74LVC1T45DRLR翻訳-電圧レベルSNGLのビット二重供給バス トランシーバー 0SN74LVC1T45DRLRのデータ用紙
プロダクト細部

記述:SN74LVC1T45DRLRはテキサス・インスツルメントからの電圧訳者そして水平なベルト寄せである。それは単一回路、420 Mbpsのデータ転送速度の二方向の、非逆にされた、三国から成ったCMOS装置である。それは1.65ボルトから5.5ボルトの電圧範囲と作動し、17.7のnsの伝搬遅延がある。
特徴:
•単一回路、二方向の、非逆にされた、三国から成ったCMOS装置
•1.65ボルトから5.5ボルトの電圧範囲
•420 Mbpsのデータ転送速度
•17.7のnsの伝搬遅延
•0.000099 ozの単位重量
適用:
SN74LVC1T45DRLRはレベルの転移、電圧翻訳、および信号処理のような適用のために適している。それは自動車、産業、および家電で一般的である。

指定

                             
属性 属性値
製造業者 テキサス・インスツルメント
製品カテゴリ 電圧訳者、水平なベルト寄せ
シリーズ 74LVC
包装互い違いの包装
単位重量0.000099 oz
土台式 SMD/SMT
パッケージ場合 SOT-563、SOT-666
作動温度-40°C | 85°C (TA)
土台タイプ 表面の台紙
出力タイプ三国から成った、非逆にされる
特徴 -
製造者装置パッケージ 6-SOT
数の回路 1つの回路
データ レート420Mbps
論理タイプ CMOS
訳者タイプ 電圧レベル
チャネル タイプ 二方向
チャネル每回路 1
電圧VCCA1.65 V | 5.5ボルト
電圧VCCB1.65 V | 5.5ボルト
入力信号-
出力信号-
最高使用可能温度+ 85 C
実用温度範囲- 40 C
供給電圧最高5.5 V
供給電圧分1.65 V
パッケージ場合 SOT-553-6
論理家族LVC
伝搬遅延17.7のns

形態、パッケージ、機能多用性がある部品

 

Part#製造業者 記述 製造業者 比較しなさい
SN74LVC1T45DBVTG4
論理
構成可能の電圧レベルの移動および3州が付いているシングル・ビットの二重供給バス トランシーバーは6-SOT-23 -40に85を出力する テキサス・インスツルメント SN74LVC1T45DRLR対SN74LVC1T45DBVTG4
SN74LVC1T45DCKR
論理
構成可能の電圧レベルの移動および3州が付いているシングル・ビットの二重供給バス トランシーバーは6-SC70 -40に85を出力する テキサス・インスツルメント SN74LVC1T45DRLR対SN74LVC1T45DCKR
SN74LVC1T45DBVR
論理
構成可能の電圧レベルの移動および3州が付いているシングル・ビットの二重供給バス トランシーバーは6-SOT-23 -40に85を出力する テキサス・インスツルメント SN74LVC1T45DRLR対SN74LVC1T45DBVR
SN74LVC1T45DRLRG4
論理
構成可能の電圧レベルの移動および3州が付いているシングル・ビットの二重供給バス トランシーバーは6-SOT-5X3 -40に85を出力する テキサス・インスツルメント SN74LVC1T45DRLR対SN74LVC1T45DRLRG4
SN74LVC1T45DBVT
論理
構成可能の電圧レベルの移動および3州が付いているシングル・ビットの二重供給バス トランシーバーは6-SOT-23 -40に85を出力する テキサス・インスツルメント SN74LVC1T45DRLR対SN74LVC1T45DBVT
SN74LVC1T45DCKRG4
論理
構成可能の電圧レベルの移動および3州が付いているシングル・ビットの二重供給バス トランシーバーは6-SC70 -40に85を出力する テキサス・インスツルメント SN74LVC1T45DRLR対SN74LVC1T45DCKRG4
SN74LVC1T45YZPR
論理
構成可能の電圧レベルの移動および3州が付いているシングル・ビットの二重供給バス トランシーバーは6-DSBGA -40に85を出力する テキサス・インスツルメント SN74LVC1T45DRLR対SN74LVC1T45YZPR
SN74LVC1T45DCKT
論理
構成可能の電圧レベルの移動および3州が付いているシングル・ビットの二重供給バス トランシーバーは6-SC70 -40に85を出力する テキサス・インスツルメント SN74LVC1T45DRLR対SN74LVC1T45DCKT
SN74LVC1T45DBVRG4
論理
構成可能の電圧レベルの移動および3州が付いているシングル・ビットの二重供給バス トランシーバーは6-SOT-23 -40に85を出力する テキサス・インスツルメント SN74LVC1T45DRLR対SN74LVC1T45DBVRG4
SN74LVC1T45DBVRE4
論理
構成可能の電圧レベルの移動および3州が付いているシングル・ビットの二重供給バス トランシーバーは6-SOT-23 -40に85を出力する テキサス・インスツルメント SN74LVC1T45DRLR対SN74LVC1T45DBVRE4

記述

電圧レベルの訳者二方向の1つの回路1チャネル420Mbps 6-SOT
電圧レベルの訳者6 Pin SOT-563 T/R
翻訳-電圧レベルSNGLのビット二重供給バス トランシーバー

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