DG411DY+Tのデータ用紙
プロダクト細部
DG417、DG418のDG419単一CMOSのアナログ スイッチはアナログ信号の高性能の転換を提供するように設計されていた。低い電力、低い漏出の高速、低いオン抵抗および小さく物理的なサイズを結合して、DG417シリーズは板スペースの高性能そして有効な使用を要求する携帯用および電池式の産業および軍の適用に理想的に適する。
高圧評価および優秀な転換の性能を実現するためには、DG417シリーズはVishay Siliconixの高圧ケイ素 ゲート(HVSG)プロセスで造られる。Break-before-make SPDT構成であるDG419のために保証される。エピタキシアル層はlatchupを防ぐ。
各スイッチは両方の方向時、および電源のレベルまでブロックでいつ同様にうまく行なう。
DG417およびDG418は真理値表に示すように反対の制御論理のレベルに答える。
•± 15 Vのアナログ信号の範囲
•オン抵抗- RDS ():20 Ω
•速い転換の行為-トン:100 ns
•超低い電力要求事項- PD:35 nW
•互換性があるTTLおよびCMOS
•MiniDIPおよびSOICの包装
•最高44ボルトの供給。評価
•広いダイナミック レンジ
•低い信号の間違いおよびゆがみ
•Break-before-make転換の行為
•簡単なインターフェイス
•減らされた板スペース
•改善された信頼性
•精密試験装置
•精密器械使用
•電池式システム
•Sample-and-hold回路
•軍のラジオ
•指導および制御システム
•ハードディスク・ドライブ
指定
属性 | 属性値 |
---|---|
製造業者 | VISHAY |
製品カテゴリ | アナログ スイッチ、多重交換装置、デマルチプレクサー |
シリーズ | DG4xx |
包装 | 巻き枠 |
単位重量 | 0.019048 oz |
土台式 | SMD/SMT |
構成 | 1つのx SPDT |
Pd力消滅 | 400 MW |
最高使用可能温度 | + 85 C |
実用温度範囲 | - 40 C |
作動供給電圧 | +/- 15ボルト |
供給現在最高 | 1つのuA |
一部#別名 | DG419DY-E3 |
供給電圧最高 | 44ボルト |
供給電圧分 | 25ボルト |
パッケージ場合 | SOIC-8 |
供給タイプ | 単一の供給の二重供給 |
オン抵抗最高 | 35オーム |
以外時間最高 | 145 ns |
スイッチの港 | 1つのスイッチ |
オン時間最高 | 175 ns |
切換え電圧最高 | +/- 15ボルト |
二重供給電圧 | +/- 15ボルト |
スイッチ連続的現在 | 30 mA |
形態、パッケージ、機能多用性がある部品
記述
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