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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | STMicroelectronics |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | STG4158BJR |
STG4158BJRのデータ用紙
プロダクト細部
STG719はケイ素 ゲートC2MOSの技術で高速SPDT CMOSスイッチfrabricatedである。1.8Vから携帯用適用のためのこの装置理想を作る5.5Vに作動することを設計する。それは提供する5V 25°C.の付加的な主要特点で最高4Ωオン抵抗をである速い切り替え速度（tON=7ns、tOFF=4.5ns）および低い電力の消費は（<0>
tPD = VCCの0.3 ns （タイプ。） = 5V
tPD = VCCの0.4 ns （タイプ。） = 3.0V
■低い電力の消滅:
ICC =1 µA （MAX。）のTA = 85 oc
■低い" ON "の抵抗:
RON = VCCの4Ω （MAX.Ta=25oC） = 5V
RON = VCCの6Ω （タイプ。） = 3.0V
■広い作動VOLTAGERANGE:
VCC （OPR） = 5.5VSINGLE供給への1.8V
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | STMicroelectronics |
| 製品カテゴリ | ICの破片 |
| シリーズ | STG4158 |
| 包装 | 巻き枠 |
| 土台式 | SMD/SMT |
| 構成 | 1つのx SPDT |
| Pd力消滅 | 500 MW |
| 最高使用可能温度 | + 85 C |
| 実用温度範囲 | - 40 C |
| 作動供給電圧 | 1.65 Vから4.5ボルト |
| 供給電圧最高 | 4.5 V |
| 供給電圧分 | 1.65 V |
| パッケージ場合 | フリップ破片6 |
| 供給タイプ | 単一の供給 |
| オン抵抗最高 | 600のmOhms |
| 以外時間最高 | 13 ns |
| スイッチの港 | 1つのスイッチ |
| オン時間最高 | 28 ns |
| 切換え電圧最高 | 4.5 V |
形態、パッケージ、機能多用性がある部品
記述
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