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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | VISHAY |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | SI6413DQ-T1-E3 |
SI6413DQ-T1-E3データ用紙
プロダクト細部
P-Channel 30-V （D-S） MOSFET
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | VISHAY |
| 製品カテゴリ | 単一FETs - |
| 部門 | 単一トランジスター- FETs、MOSFETs - |
| 製造業者 | Vishay Siliconix |
| シリーズ | TrenchFETか。 |
| 包装 | テープ及び巻き枠（TR） |
| 一部状態 | 時代遅れ |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 下水管に源電圧Vdss | 20V |
| 現在連続的下水管ID25°C | 7.2A （Ta） |
| ドライブ電圧最高Rds分Rds | 1.8V、4.5V |
| Vgs Th最高ID | 800mV @ 400か。 |
| ゲート充満Qg最高Vgs | 105nC @ 5V |
| Vgs最高 | ±8V |
| FET特徴 | - |
| パワー消滅最高 | 1.05W （Ta） |
| Rds最高IDVgs | 10 mOhm @ 8.8A、4.5V |
| 作動温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
| 土台タイプ | 表面の台紙 |
| 製造者装置パッケージ | 8-TSSOP |
| パッケージ場合 | 8-TSSOP （0.173"、4.40mmの幅） |
記述
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