プロダクト細部
FM25V05は高度のferroelectricプロセスを用いる512キロビットの不揮発性メモリである。ferroelectric RAMメモリかF-RAMはRAMのように不揮発性で、読み、書く行う。それは10年間連続抜け目がなく、他の不揮発性メモリによって起こされる複雑さ、間接費およびシステム レベルの信頼性問題を除去している間信頼できるデータ保持を提供する。
512KビットFerroelectric不揮発性RAM
•65,536のx 8ビットとして組織される
•高い持久力100兆は(1014)読んだり/書く
•10年データ保持
•NoDelay™は書く
•高度の高信頼性のFerroelectricプロセス
•頻度40までのMHzの
•連続フラッシュのための直接ハードウェア取り替え
•SPIモード0及び3 (CPOL、CPHA=0,0及び1,1)
•ハードウェア保護
•ソフトウェア保護
•装置IDは製造業者ID及び部分IDを読む
•独特な通し番号(FM25VN05)
•低電圧操作2.0V – 3.6V
•90のµAのスタンバイの流れ(タイプ。)
•5つのµAの休眠モードの流れ(タイプ。)
•産業温度-40°Cへの+85°C
•8ピン「緑」/RoHS SOICのパッケージ
指定
属性 | 属性値 |
---|---|
製造業者 | Ramtron |
製品カテゴリ | 記憶IC |
シリーズ | F-RAM™ |
包装 | 切りなさいテープ(CT)を |
単位重量 | 0.019048 oz |
土台式 | SMD/SMT |
作動温度範囲 | - + 85 Cへの40 C |
パッケージ場合 | 8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅) |
作動温度 | -40°C | 85°C (TA) |
インターフェイス | SPIの連続 |
電圧供給 | 2ボルト| 3.6ボルト |
製造者装置パッケージ | 8-SOIC |
記憶容量 | 512K (64K X 8) |
記憶タイプ | FRAM (Ferroelectric RAM) |
速度 | 40MHz |
フォーマット記憶 | RAM |
最高使用可能温度 | + 85 C |
実用温度範囲 | - 40 C |
作動供給電圧 | 3.3 V |
インターフェイス タイプ | SPI |
構成 | 64 k X 8 |
供給電圧最高 | 3.6 V |
供給電圧分 | 2ボルト |
パッケージ場合 | SOIC-8 |
記述
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