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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | Texas Instruments |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | BQ2201SN |
プロダクト細部
[ETA-USA]
3W開いたフレーム
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | テキサス・インスツルメント |
| 製品カテゴリ | 記憶コントローラー |
| シリーズ | BQ2201 |
| タイプ | 不揮発性SRAM （NVSRAM） |
| 包装 | 管の互い違いの包装 |
| 単位重量 | 0.002677 oz |
| 土台式 | SMD/SMT |
| パッケージ場合 | 8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅） |
| 作動温度 | 0°C | 70°C |
| 電圧供給 | 4.5 V | 5.5ボルト |
| 製造者装置パッケージ | 8-SOIC |
| 記憶タイプ | 不揮発性SRAM |
| コントローラー タイプ | 不揮発性SRAM |
| 最高使用可能温度 | + 85 C |
| 実用温度範囲 | 0 C |
| 記述機能 | すべての必要な機能をnonvolatilereadに標準的なCMOS SRAMを変えるために提供したり/記憶を書く |
| 作動供給現在 | 3 mA |
| 電池バックアップ切換え | はい |
| 供給電圧最高 | 5.5 V |
| 供給電圧分 | 4.5 V |
| パッケージ場合 | SOIC-8 |
| 数の記憶チャネル | 1つの記憶チャネル |
| リチウム電池モニター | はい |
記述
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