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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | Texas Instruments |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | DRV8301DCAR |
M5M5256DP、FP、VP、高性能3つのpolysilicon CMOSの技術を使用して製造されるRVは8ビットによって32,768単語として組織される262,144ビットCMOS静的なラムである。高密度および低い電力の静的なRAMの抵抗負荷NMOS細胞およびCMOSの周囲の結果の使用。予備の現在はバッテリー・バックアップの塗布のために十分に小さい。それは簡単なインターフェイスを要求する記憶装置にとって理想的である。
特にM5M5256DVP、RVは28ピン薄く小さい輪郭のパッケージで包まれる。2つのタイプの装置は利用できる、M5M5256DVP （正常な鉛のくねりのタイプ パッケージ）、M5M5256DRV （逆の鉛のくねりのタイプ パッケージ）。両タイプの装置を使用して、プリント基板を設計することは非常に容易になる。
•単一+5Vの電源
•時計は、新たにならない
•+2.0Vの電源のデータ把握
•互換性がある直接TTL:すべての入出力
•3州の出力:またはタイの機能
•/OEは入力/出力バスのデータ競合を防ぐ
•共通データ入力/出力
•バッテリー・バックアップの機能
•低い予備の流れ··········0.05µA （タイプ。）
小さい容量記憶単位
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | テキサス・インスツルメント |
| 製品カテゴリ | モーター運転者およびコントローラー |
| シリーズ | DRV8301 |
| プロダクト | ブラシレスDCモーター コントローラー |
| タイプ | 3段階ブラシレスDCモーター運転者 |
| 包装 | 互い違いの包装 |
| 単位重量 | 0.008356 oz |
| 土台式 | SMD/SMT |
| 作動温度範囲 | - + 125 Cへの40 C |
| パッケージ場合 | 56-TFSOP （0.240"、6.10mmの幅）露出されたパッド |
| 技術 | 力MOSFET |
| 作動温度 | -40°C | 125°C （TA） |
| 土台タイプ | 表面の台紙 |
| 機能 | コントローラー-代わり、方向管理 |
| 適用 | 一般目的 |
| インターフェイス | SPI |
| 電圧供給 | 6ボルト| 60ボルト |
| 製造者装置パッケージ | 56-HTSSOP |
| 数の出力 | 2出力 |
| 現在出力 | - |
| 出力構成 | 前運転者-半分橋（3） |
| 電圧負荷 | - |
| モーター タイプ段階 | - |
| モーター タイプAC DC | ブラシレスDC （BLDC） |
| 決断 | - |
| 作動供給電圧 | 6ボルトから60ボルト |
| 作動供給現在 | 15 mA |
| 出力現在 | 1.7 A |
| パッケージ場合 | HTSSOP-56 |
FAQ
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:私達は集積回路の破片の元の製造業者である。私達はOEM/ODMビジネスをしてもいい。
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