SN74LVC1G08はブール関数かY = Aを行う•肯定的な論理のB。この装置はIoffベースの部分的力の適用のために十分に指定される。装置が消えるとき、Ioffの回路部品は防ぐ出力を不具にし現在の逆流を装置を通して損なう。
●3.3ボルトの3.6 nsの最高のtpd
●低い電力の消費、10-μA最高のICC
●±24 mAは3.3ボルトでドライブを出力した
●テキサス・インスツルメントNanoFreeのパッケージで利用できる
●5-V VCC操作を支える
●入力は5.5ボルトに電圧を受け入れる
属性 | 属性値 |
---|---|
製造業者 | テキサス・インスツルメント |
製品カテゴリ | ゲートおよびインバーター |
シリーズ | 74LVC |
プロダクト | 単一機能ゲート |
包装 | 互い違いの包装 |
単位重量 | 0.000088 oz |
土台式 | SMD/SMT |
パッケージ場合 | 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 |
作動温度 | -40°C | 125°C |
土台タイプ | 表面の台紙 |
特徴 | - |
電圧供給 | 1.65 V | 5.5ボルト |
製造者装置パッケージ | SC-70-5 |
数の回路 | 1つの回路 |
ゲートのIC数 | 1つのゲート |
数の入力 | 2つの入力 |
静止流れ | 10μA |
現在出力高低い | 32mA、32mA |
最高伝播遅れV最高CL | 4ns @ 5V、50pF |
論理タイプ | そしてゲート |
論理レベル低い | - |
論理レベルの高さ | - |
最高使用可能温度 | + 85 C |
実用温度範囲 | - 40 C |
供給電圧最高 | 5.5 V |
供給電圧分 | 1.65 V |
パッケージ場合 | SC-70-5 |
論理家族 | 74LVC |
伝搬遅延 | 4.5 ns |
出力現在の高レベル- | - 32 mA |
低レベル出力現在 | 32 mA |
数の入力ライン | 2入れなさい |
数の出力ライン | 1出力 |
論理機能 | そして |
Part#製造業者 | 記述 | 製造業者 | 比較しなさい |
SN74LVC1G08IDCKREP | 高められたプロダクト単一の2入力肯定的およびゲート5-SC70 -40に85 | テキサス・インスツルメント | SN74LVC1G08DCKR対SN74LVC1G08IDCKREP |
SN74LVC1G08DBVR | 単一2-lnput肯定的およびゲート5-SOT-23 -40に125 | テキサス・インスツルメント | SN74LVC1G08DCKR対SN74LVC1G08DBVR |
SN74LVC1G08DBVRG4 | 単一の2入力肯定的およびゲート5-SOT-23 -40に125 | テキサス・インスツルメント | SN74LVC1G08DCKR対SN74LVC1G08DBVRG4 |
SN74LVC1G08DBVTG4 | 単一の2入力肯定的およびゲート5-SOT-23 -40に125 | テキサス・インスツルメント | SN74LVC1G08DCKR対SN74LVC1G08DBVTG4 |
SN74LVC1G08DCKT | 単一の2入力肯定的およびゲート5-SC70 -40に125 | テキサス・インスツルメント | SN74LVC1G08DCKR対SN74LVC1G08DCKT |
SN74LVC1G08DBV | LVC/LCXIZ SERIES.2-NPUTおよびGATE.PDSO5 | テキサス・インスツルメント | SN74LVC1G08DCKR対SN74LVC1G08DBV |
SN74LVC1G08DBVT | 単一の2入力肯定的およびゲート5-SC70 -40に125 | テキサス・インスツルメント | SN74LVC1G08DCKR対SN74LVC1G08DBVT |
SN74LVC1G08DBVRE4 | 単一の2入力肯定的およびゲート5-SC70 -40に125 | テキサス・インスツルメント | SN74LVC1G08DCKR対SN74LVC1G08DBVRE4 |
SN74LVC1G08DCKRG4 | 単一の2入力肯定的およびゲート5-SC70 -40に125 | テキサス・インスツルメント | SN74LVC1G08DCKR対SN74LVC1G08DCKRG4 |
SN74LVC1G08DCKR | 単一の2入力肯定的およびゲート5-SC70 -40に125 | テキサス・インスツルメント | SN74LVC1G08DCKR対SN74LVC1G08DCKR |
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