Scheda DG419DY-T1-E3
Dettagli del prodotto
I DG417, DG418, commutatori analogici monolitici di DG419 CMOS sono stati destinati per fornire la commutazione di rendimento elevato dei segnali analogici. Combinando il potere basso, le perdite basse, alta velocità, la su resistenza bassa e piccola dimensione fisica, la serie DG417 è adatta idealmente per le applicazioni industriali e militari portatili ed a pile che richiedono il rendimento elevato e l'uso efficiente dello spazio del bordo.
Per raggiungere le valutazioni ad alta tensione e la prestazione di commutazione superiore, la serie DG417 è sviluppata sul processo ad alta tensione della porta al silicio di Vishay Siliconix (HVSG). Rottura-prima-faccia è garantito per il DG419, che è una configurazione di SPDT. Uno strato epitassiale impedisce il latchup.
Ogni commutatore conduce altrettanto bene in entrambe le direzioni quando sopra e blocchi fino al livello dell'alimentazione elettrica quando fuori.
I DG417 e i DG418 rispondono ai livelli logici opposti di controllo secondo le indicazioni della tabella di verità.
• gamma del segnale analogico del ± 15 V
• Su resistenza - RDS (sopra): 20 Ω
• Azione di commutazione veloce - tonnellata: 100 NS
• Requisiti di potere ultrabassi - palladio: 35 nanowatt
• TTL e CMOS compatibili
• Imballaggio di SOIC e di MiniDIP
• Valutazione massima del rifornimento di 44 V
• Ampia gamma dinamica
• Errori e distorsione bassi del segnale
• Rottura-prima-faccia l'azione di commutazione
• Collegamento semplice
• Spazio riduttore del bordo
• Affidabilità migliore
• Attrezzatura di prova di precisione
• Strumentazione di precisione
• Sistemi a pile
• circuiti della Campione-e-tenuta
• Radio militari
• Orientamento e sistemi di controllo
• Drive del hard disk
Specifiche
Attributo | Valore di attributo |
---|---|
Produttore | VISHAY |
Categoria di prodotto | Commutatori analogici, multiplexor, demoltiplicatori |
Serie | DG4xx |
Imballaggio | Bobina |
Unità-peso | 0,019048 once |
Stile montaggio | SMD/SMT |
Configurazione | 1 x SPDT |
Palladio-Potere-dissipazione | 400 Mw |
Temperatura di funzionamento massima | + 85 C |
Gamma di temperatura di funzionamento | - 40 C |
Azionare-Rifornimento-tensione | +/- 15 V |
Rifornimento-Corrente-massimo | 1 uA |
Parziale # pseudonimi | DG419DY-E3 |
Rifornimento-Tensione-massimo | 44 V |
Rifornimento-Tensione-min | 25 V |
Pacchetto-caso | SOIC-8 |
Rifornimento tipo | Rifornimento doppio della semplice alimentazione |
Su Resistenza massimo | 35 ohm |
Fuori Tempo massimo | 145 NS |
Porti dei commutatori | 1 commutatore |
Su Tempo massimo | 175 NS |
Commutazione-Tensione-massimo | +/- 15 V |
Doppio-Rifornimento-tensione | +/- 15 V |
Commutatore-Continuo-corrente | 30 mA |
Forma, pacchetto, componente compatibile funzionale
Descrizioni
Chi siamo?
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