Να στείλετε μήνυμα
Shenzhen Jinsheng Weiye Electronics Co., Ltd
Ταχυδρομείο: jswy.electronics@gmail.com Τηλ.: 86--0755-23914770
Σπίτι > Προϊόντα > Ολοκληρωμένα κυκλώματα ημιαγωγών > Ic μνήμης
Ολα τα προϊόντα
καυτά προϊόντα
ΚΙΝΑ L298N ελεγκτής ανάφλεξης κινήσεων μηχανών διοικητικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων δύναμης και διπλή πλήρης γέφυρα οδηγών

L298N ελεγκτής ανάφλεξης κινήσεων μηχανών διοικητικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων δύναμης και διπλή πλήρης γέφυρα οδηγών

ΚΙΝΑ TPS54620RHL βήμα ρυθμιστών μετατροπής διοικητικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων δύναμης 4.5-17Vin 6A Syn - κάτω από Cnvrtr

TPS54620RHL βήμα ρυθμιστών μετατροπής διοικητικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων δύναμης 4.5-17Vin 6A Syn - κάτω από Cnvrtr

ΚΙΝΑ Apc-16-350 παροχή ηλεκτρικού ρεύματος των οδηγήσεων διοικητικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων δύναμης 16.8W 12-48V 350mA

Apc-16-350 παροχή ηλεκτρικού ρεύματος των οδηγήσεων διοικητικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων δύναμης 16.8W 12-48V 350mA

ΚΙΝΑ Διοικητικά ολοκληρωμένα κυκλώματα TPS65930A2ZCH δύναμης TPS65930A2ZCH επαγγελματική διαχείριση διοικητικής PMIC INT Pwr Mgmt ολοκληρωμένη ολοκληρωμένο κύκλωμα δύναμης δύναμης/ακουστικός ΚΩΔΙΚΟΠΟΙΗΤΉΣ-ΑΠΟΚΩΔΙΚΟΠΟΙΗΤΉΣ

Διοικητικά ολοκληρωμένα κυκλώματα TPS65930A2ZCH δύναμης TPS65930A2ZCH επαγγελματική διαχείριση διοικητικής PMIC INT Pwr Mgmt ολοκληρωμένη ολοκληρωμένο κύκλωμα δύναμης δύναμης/ακουστικός ΚΩΔΙΚΟΠΟΙΗΤΉΣ-ΑΠΟΚΩΔΙΚΟΠΟΙΗΤΉΣ

ΚΙΝΑ Διοικητικά ολοκληρωμένα κυκλώματα L6472HTR δύναμης L6472HTR πλήρως ενσωματωμένη Microstepping μηχανή DRV SPI dSPIN 7.0A 3,0 RMS 8 οδηγών μηχανών - 45V

Διοικητικά ολοκληρωμένα κυκλώματα L6472HTR δύναμης L6472HTR πλήρως ενσωματωμένη Microstepping μηχανή DRV SPI dSPIN 7.0A 3,0 RMS 8 οδηγών μηχανών - 45V

ΚΙΝΑ Διοικητικά ολοκληρωμένα κυκλώματα INA3221 δύναμης INA3221 τρέχοντα διακλάδωση καναλιών ρυθμιστών οργάνων ελέγχου δύναμης δύναμης τριπλά & όργανο ελέγχου Vltg λεωφορείων

Διοικητικά ολοκληρωμένα κυκλώματα INA3221 δύναμης INA3221 τρέχοντα διακλάδωση καναλιών ρυθμιστών οργάνων ελέγχου δύναμης δύναμης τριπλά & όργανο ελέγχου Vltg λεωφορείων

ΚΙΝΑ LPC2368FBD100 μικροελεγκτές MCU ARM7 ΒΡΑΧΙΟΝΩΝ με τη λάμψη 58kB SRAM Ethernet 512kB

LPC2368FBD100 μικροελεγκτές MCU ARM7 ΒΡΑΧΙΟΝΩΝ με τη λάμψη 58kB SRAM Ethernet 512kB

ΚΙΝΑ Attiny104-SSNR οκτάμπιτη AVR RISC 1KB 14-καρφίτσα SOIC T/R λάμψης 2.5V/3.3V/5V μικροελεγκτών MCU

Attiny104-SSNR οκτάμπιτη AVR RISC 1KB 14-καρφίτσα SOIC T/R λάμψης 2.5V/3.3V/5V μικροελεγκτών MCU

Ic μνήμης

ΚΙΝΑ SDINBDA4-32G eMMC 32GB μέσα και 7550 5,1 WD/SD ολοκληρωμένου κυκλώματος μνήμης eMMC

SDINBDA4-32G eMMC 32GB μέσα και 7550 5,1 WD/SD ολοκληρωμένου κυκλώματος μνήμης eMMC

ΚΙΝΑ MX25L25645GM2I-08G NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3,3V 256M-bit 256M/128M/64M x 1/2-bit/4-bit 8ns 8-Pin SOP

MX25L25645GM2I-08G NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3,3V 256M-bit 256M/128M/64M x 1/2-bit/4-bit 8ns 8-Pin SOP

ΚΙΝΑ MX25L6433FM2I-08Q σειρά 64 I/O αστραπιαία σκέψη 133 MHZ τετραγώνων ΜΒ (8M X 8) SPI - 8-sop

MX25L6433FM2I-08Q σειρά 64 I/O αστραπιαία σκέψη 133 MHZ τετραγώνων ΜΒ (8M X 8) SPI - 8-sop

ΚΙΝΑ H5tc4g63efr-RDA 96-καρφίτσα FBGA 1.35V 4G-κομματιών 256M X 16 τσιπ DDR3L SDRAM DRAM

H5tc4g63efr-RDA 96-καρφίτσα FBGA 1.35V 4G-κομματιών 256M X 16 τσιπ DDR3L SDRAM DRAM

ΚΙΝΑ H5GQ8H24MJR-R4C Μνήμη IC BGA/GDDR5 Sdram

H5GQ8H24MJR-R4C Μνήμη IC BGA/GDDR5 Sdram

ΚΙΝΑ H5tq2g83gfr-RDC ολοκληρωμένο κύκλωμα 2V-9.5V -10C-130C αστραπιαίας σκέψης

H5tq2g83gfr-RDC ολοκληρωμένο κύκλωμα 2V-9.5V -10C-130C αστραπιαίας σκέψης

ΚΙΝΑ W25Q32JVSSIQTR NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3,3V 32M-bit 4M x 8 6ns 8-Pin SOIC T/R

W25Q32JVSSIQTR NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3,3V 32M-bit 4M x 8 6ns 8-Pin SOIC T/R

ΚΙΝΑ W25Q256JVEIQ ΟΥΤΕ σωλήνας EP 8-καρφιτσών WSON τμηματικού (SPI, διπλό SPI, τετράγωνο SPI) 3V/3.3V 6ns 256M-κομματιών 32M X 8 λάμψης

W25Q256JVEIQ ΟΥΤΕ σωλήνας EP 8-καρφιτσών WSON τμηματικού (SPI, διπλό SPI, τετράγωνο SPI) 3V/3.3V 6ns 256M-κομματιών 32M X 8 λάμψης

ΚΙΝΑ MT41K256M16TW-107: Δίσκος 96-καρφιτσών FBGA τσιπ DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V Π 0°C ~ 95°C (TC) DRAM

MT41K256M16TW-107: Δίσκος 96-καρφιτσών FBGA τσιπ DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V Π 0°C ~ 95°C (TC) DRAM

ΚΙΝΑ MT40A256M16LY-062E: Τσιπ DDR4 SDRAM 96-καρφίτσα FBGA 1.2V 4Gbit 256M X 16 ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM μνήμης Φ

MT40A256M16LY-062E: Τσιπ DDR4 SDRAM 96-καρφίτσα FBGA 1.2V 4Gbit 256M X 16 ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM μνήμης Φ

ΚΙΝΑ MT29F32G08CBADBWPR: Λάμψη Mlc 32G 4GX8 TSOP NAND ολοκληρωμένου κυκλώματος μνήμης Δ

MT29F32G08CBADBWPR: Λάμψη Mlc 32G 4GX8 TSOP NAND ολοκληρωμένου κυκλώματος μνήμης Δ

ΚΙΝΑ MTFC4GACAAAM-1MWT η 4G-ψηφιολέξη 3.3V καρτών λάμψης ολοκληρωμένου κυκλώματος μνήμης ενσωμάτωσε MMC 153-καρφίτσα VFBGA

MTFC4GACAAAM-1MWT η 4G-ψηφιολέξη 3.3V καρτών λάμψης ολοκληρωμένου κυκλώματος μνήμης ενσωμάτωσε MMC 153-καρφίτσα VFBGA

ΚΙΝΑ MT40A1G16KNR-075: Τσιπ DDR4 Sdram 16GBIT 1G Χ 96-ΚΑΡΦΊΤΣΑ Fbga T/r Ε DRAM 16 1.2V

MT40A1G16KNR-075: Τσιπ DDR4 Sdram 16GBIT 1G Χ 96-ΚΑΡΦΊΤΣΑ Fbga T/r Ε DRAM 16 1.2V

ΚΙΝΑ MT25QL128ABA8ESF-0AAT ΟΥΤΕ λάμψη τμηματικός-SPI 3V 128Mbit 128M/64M/32M 16-καρφίτσα sop-ΙΙ 1bit/2bit/4bit 6ns

MT25QL128ABA8ESF-0AAT ΟΥΤΕ λάμψη τμηματικός-SPI 3V 128Mbit 128M/64M/32M 16-καρφίτσα sop-ΙΙ 1bit/2bit/4bit 6ns

ΚΙΝΑ MTA4ATF51264HZ-2G6E1 ενότητες DRAM, SODIMM, 4GB, 1.2V, 260-καρφίτσα SODIMM, RoHS

MTA4ATF51264HZ-2G6E1 ενότητες DRAM, SODIMM, 4GB, 1.2V, 260-καρφίτσα SODIMM, RoHS

1 2 3 4 5 6

ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΗΣΤΕ ΜΑΖΙ ΜΑΣ ΟΠΟΙΑΔΗΠΟΤΕ ΣΤΙΓΜΗ

86--0755-23914770
5009B, 5009A, 50ο shenzhenshi futianqu huaqiangbeijiedao fuqiangshequ huaqiangbeilu πατωμάτων saigeguangchang Νο 1002
8613670310083
+86 13670310083
+86 13670310083
jswy.electronics@gmail.com
Μας στείλετε την έρευνά σας άμεσα σε