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| Herkunftsort | Anruf |
| Markenname | onsemi |
| Zertifizierung | ROHS |
| Modellnummer | FDD6630A |
FDD6630A-Datenblatt
Produkt-Details
Dieser N-Kanal MOSFET ist speziell entworfen worden, um den Gesamtwirkungsgrad von DC-/DCkonvertern entweder unter Verwendung der synchronen oder herkömmlichen Prüfer der Schaltung PWM zu verbessern. Er ist für niedrige Torgebühr, niedriges RDS (AN) und schnelle Schaltverzögerung optimiert worden.
· 21 A, 30 V RDS (AN) = 35 mW @ VGS = 10 V
RDS (AN) = 50 mW @ VGS = 4,5 V
· Niedrige Torgebühr (5nC typisch)
· Schnelle Schaltung
· Hochleistungsgrabentechnologie für extrem - niedriges RDS (AN)
Anwendungen
· DC-/DCkonverter
· Motorantriebe
Spezifikationen
| Attribut | Attribut-Wert |
|---|---|
| Hersteller | Fairchild-Halbleiter |
| Produkt-Kategorie | FETs - einzeln |
| Reihe | PowerTrench® |
| Verpacken | Spule |
| Teil-angenommener Name | FDD6630A_NL |
| Stückgewicht | 0,009184 Unze |
| Montage-ähnlich | SMD/SMT |
| Paket-Fall | TO-252-3 |
| Technologie | Si |
| Zahl-von-Kanäle | 1 Kanal |
| Konfiguration | Einzeln |
| Transistor-artig | 1 N-Kanal |
| PD-Energie-Ableitung | 28 W |
| Normalbetriebshöchsttemperatur | + 175 C |
| Betriebstemperaturbereich | - 55 C |
| Abfallzeit | 13 ns |
| Anlaufzeit | 8 ns |
| Vgs-Tor-Quelle-Spannung | 20 V |
| Identifikation (Abflussstrom) | 21 A |
| Vds-Abfluss-Quelle-Zusammenbruch-Spannung | 30 V |
| RDS-Auf-Abfluss-Quelle-Widerstand | 28 mOhms |
| Transistor-Polarität | N-Kanal |
| Typisch-Drehung-Weg-Verzögerung-mal | 17 ns |
| Einschaltverzögerungs-Zeit | 5 ns |
| Transconductance | 13 S |
| Kanal-Modus | Verbesserung |
Beschreibungen
Wer sind wir?
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