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Les circuits intégrés de mémoire CY7C1049B-17VC à semi-conducteurs SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
  • Les circuits intégrés de mémoire CY7C1049B-17VC à semi-conducteurs SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

Les circuits intégrés de mémoire CY7C1049B-17VC à semi-conducteurs SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

Lieu d'origine Appel
Nom de marque Cypress Semiconductor
Certification ROHS
Numéro de modèle CY7C1049B-17VC
Détails du produit
Nom du produit:
CY7C1049B-17VC
Condition:
Original 100%
Methodpe d'installation:
SRAM - Asynchrone 0°C à 70°C (TA) 36-BSOJ (0,400", 10,16 mm de largeur) 36-SOJ 4,5 V à 5,5 V
Le paquet:
36-BSOJ (0,400", largeur de 10.16mm)
Voltage - alimentation:
Norme internationale
Max. Reverse Current:
Norme internationale
Application du projet:
Mémoire IC
Surligner: 

CY7C1049B-17VC

,

Les circuits intégrés de mémoire CY7C1049B-17VC

,

IC de mémoire SRAM de 4 MBIT

Description de produit

                                                                  Les circuits intégrés de mémoire CY7C1049B-17VC à semi-conducteurs SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ 0Les données de la fiche de données CY7C1049B-17VC sont fournies à l'adresse suivante:

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Cypress Semiconductor
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Tuyaux
Boîtier de colis 36-BSOJ (0,400", largeur de 10,16 mm)
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 4.5 V ~ 5.5 V
Produit fourni par le fournisseur 36-SOJ
Capacité de mémoire 4M (512K x 8)
Type de mémoire SRAM - Asynchrone
Vitesse 17 ans
Format-mémoire La RAM

Composant fonctionnel compatible

Détails du produit

Description fonctionnelle [1]

Le CY7C1049B est une mémoire vive statique CMOS haute performance organisée en 524.288 mots par 8 bits.

Caractéristiques

• Haute vitesse
¢ tAA = 12 ns
• Faible puissance active
¥ 1320 mW (max.)
• Faible puissance en mode veille CMOS (version commerciale L)
¥ 2,75 mW (max.)
• Rétention de données de 2,0 V (400 μW à rétention de 2,0 V)
• Arrêt automatique de l' électricité lorsque cette option est désactivée
• Les entrées et sorties compatibles avec TTL
• Élargissement facile de la mémoire grâce aux fonctionnalités CE et OE

DispositifDécrits

SRAM - mémoire IC asynchrone de 4 Mb (512 K x 8) parallèle 17ns 36-SOJ
 
 
 

Qui nous sommes?

est une société professionnelle de commercialisation électronique entièrement engagée dans les domaines de la vente et du service de semi-conducteurs et de composants électroniques pour des clients depuis plus de 10 ans,spécialisés dans la vente de nouveaux et inutilisésNous sommes spécialisés dans les circuits intégrés, les diodes, les transistors, les convertisseurs...***a mis en place notre propre concept de service de vente et a déjà établi des partenariats solides avec de nombreux fabricants célèbres et nous avons plus de 5,000Des milliers de types de composants électroniques à votre choix, toujours à votre service!

Questions fréquentes
Q: Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant?
R: Nous sommes le fabricant original dePuce de circuit intégréOn peut faire des affaires OEM/ODM.
Q: Combien de temps avez-vous pour la livraison?
A: Je suis désolé.Délai de livraison des achats en groupe: 30 à 60 jours; délai de livraison général: 20 jours.
Q: Quelles sont vos conditions de paiement?
A: Je suis désolé.T/T 30% comme dépôt et 70% avant livraison.
Q: Comment acheter vos produits?
A: Je suis désolé.Vous pouvez acheter les produits de notre société directement.Normalement, la procédure est de signer le contrat, le paiement par T / T, Contacter la compagnie de transport pour la livraison des marchandises à votre pays.
Q: Quelle est la garantie?
A: Je suis désolé.La garantie gratuite est d'un an à compter du jour de mise en service qualifiée. S'il y a un défaut pour nos produits dans la période de garantie gratuite, nous le réparerons et changerons l'assemblage de défaut gratuitement.
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